english
2-я Всероссийская конференция

Нитриды галлия, индия и алюминия:
структуры и приборы

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
Санкт-Петербург, 3-4 февраля 2003 г.

Первое извещение о конференции

В течение последних 10 лет в мире был совершен прорыв в исследованиях, разработках и промышленном освоении полупроводниковых структур и приборов на основе нитрида галлия и его твердых растворов. Выпускаются эффективные зеленые, голубые и фиолетовые светодиоды, созданы синие и фиолетовые инжекционные лазеры, мощные высокочастотные транзисторы. Разработаны эффективные светодиоды белого свечения. Возникла перспектива замены ламп накаливания и люминесцентных ламп светодиодными излучателями на основе нитрида галлия.

В 1997-2000 гг. в Москве и Санкт-Петербурге1 проходили ежегодные рабочие совещания, а в 2001 г. состоялась 1-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы". Совещания и Конференция получили поддержку РФФИ и Минпромнауки. В Конференции 2001 г. приняли участие более 90 человек, представивших 65 докладов от 50 организаций.

Сроки и формат конференции

В феврале 2003 г в Санкт-Петербурге, в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, планируется проведение 2-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы". Опираясь на опыт Совещаний и 1-й Конференции, оргкомитет планирует проведение Конференции в течение двух дней. Ориентировочный срок ее проведения - 3-4 февраля 2003 года.

Формат конференции - устно-стендовый. Каждая сессия будет предваряться приглашенными докладами. Планируется приглашение иностранных участников. Планируется проведение обсуждений актуальных вопросов (круглых столов), в частности, по проблемам твердотельного освещения. Официальный язык Конференции - русский. Возможно представление части докладов на английском языке.

Финансовая поддержка участников

Оргкомитет обратился в РФФИ и к другим спонсорам с просьбами о финансовой поддержке. Российские участники Конференции получат финансовую поддержку в зависимости от объема выделенных средств и от срока предварительной регистрации.

Организационный комитет

П.С. Копьев, председатель ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.Э. Юнович, зам. председателя МГУ им. М.В. Ломоносова
В.В. Лундин, секретарь ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.Н. Туркин, секретарь МГУ им. М.В. Ломоносова
В.С. Абрамов ООО "Корвет Лайтс"
В.А. Дмитриев ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Е.Е. Заварин ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.Е. Николаев ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.В. Сахаров ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
В.Г. Сидоров СПбГПТУ
С.П. Черных ООО "ЮниСаф"

Программный комитет

П.С. Копьев, председатель ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Н.Н. Леденцов ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.Н. Ковалев МИСиС
В.Г. Мокеров ИРЭ РАН
С.Ю. Шаповал ИФТТ РАН
М.Г. Мильвидский ГИРЕДМЕТ
А.С. Усиков ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
В.М. Устинов ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН

За дополнительной информацией просьба обращаться к:

Юновичу Александру Эммануиловичу,
зам. председателя орг. комитета
Тел. (095) 939 29 94
Факс (095) 939 37 31
E-mail: Yunovich@sconyuno.phys.msu.su
Лундину Всеволоду Владимировичу,
секретарь орг. комитета
Тел. (812) 247 31 82
Факс (812) 247 31 78
E-mail: Lundin.VPEgroup@mail.Ioffe.ru

ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ

  1. Подложки для эпитаксиального роста нитридов.
  2. Технология материалов: рост объемных кристаллов.
  3. Технология материалов: эпитаксиальные методы роста.
  4. Узкозонные и разбавленные нитриды.
  5. Оптические, электрические и структурные свойства материалов.
  6. Свойства квантово-размерных структур на основе нитридов.
  7. Конструкции, технологии (ростовые и постростовые) и параметры приборов на основе нитридов.
  8. Электронные и оптоэлектронные устройства на основе нитридов.

ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ РЕГИСТРАЦИЯ

Оргкомитет убедительно просит Вас и Ваших коллег, желающих принять участие в Конференции, в кратчайшие сроки заполнить Форму предварительной регистрации в электронном виде. Форма предварительной регистрации заполняется и присылается до 15 ноября 2002 года отдельно для каждого предполагаемого участника.

Регистрационные данные по участникам могут быть отпарвлены по электронной почте на адрес Lundin.VPEgroup@mail.Ioffe.ru

Вопросы формы предварительной регистрации участников:

  1. Фамилия, Имя, Отчество.
  2. Организация.
  3. Должность.
  4. Ученая степень, ученое звание.
  5. Количество представляемых докладов.
  6. Темы докладов, представляемых данным участником (в соответствие с нумерацией, приведенной в программе).
  7. Желание принять участие в Круглых Столах, предлагаемые темы:
  8. Необходимость финансовой поддержки.
  9. Необходимость резервирования места в гостинице.

ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ

Развернутые тезисы докладов на русском языке и краткие тезисы докладов на английском языке (название, авторы, организация, 100 слов текста) следует направлять до 15 декабря 2002 года по электронной почте по адресу: Lundin.VPEgroup@mail.Ioffe.ru.

Если Вы в течение 2-3 дней не получите подтверждения получения - пожалуйста, пошлите тезисы еще раз.

В исключительном случае, если не будет другой возможности, тезисы докладов следует направлять по почте, и в напечатанном и в электронном виде на дискете 3.5 дюйма по любому из адресов:


119899 Москва, Воробьевы горы,
МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет,
Кафедра оптики и спектроскопии
2-я Всероссийская Конференция III-N 2003
ТУРКИНУ Андрею Николаевичу

194021 С-Петербург, Политехническая 26,
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН,
Лаборатория Физики Полупроводниковых Гетероструктур
2-я Всероссийская Конференция III-N 2003
ЛУНДИНУ Всеволоду Владимировичу


Тезисы докладов будут опубликованы до начала Конференции и размещены в сети Интернет.

Правила оформления развернутых тезисов






обновление: 10.11.2002
URL: http://edu.ioffe.ru/conf/nitrides2003
© Научно-Образовательный Центр ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 2002-2003