Last updated:
June 5, 2002
NANOSTRUCTURES: PHYSICS and TECHNOLOGY
10 th International Symposium
NANOSTRUCTURES:
PHYSICS AND TECHNOLOGY
St Petersburg, Russia, 17–21, June 2002
MondayTuesdayWednesdayThursdayFriday

Final Programme

Monday, June 17 (Educational Centre)

09:15–10:30

Opening Plenary Session

Chairman: Zh. Alferov

Zh. Alferov
Opening remarks
OPS.01iK. von Klitzing
Physics and applications of Quantum Hall effect (QHE)
OPS.02iG. Abstreiter
Control of charge and spin in novel semiconductor nanostructure devices
11:00–13:00

Nanostructure Technology

Chairman: P. Kop'ev

NT.01iP. Hoffmann, I. Utke and F. Cicoira
Limits of 3-D nanostructures fabricated by focused electron beam (FEB) induced deposition
NT.02iP. Ajayan
Building architectures with carbon nanotubes and exploring their applications
NT.03 M. Meixner, R. Kunert, E. Schöll, V. A. Shchukin and D. Bimberg
Monte Carlo simulation of self-organized quantum dot structures: crossover from kinetics to thermodynamics
NT.04 R. Oga, W. S. Lee, Y. Fujiwara and Y. Takeda
Room-temperature electroluminescence at 1.55 μm from InAs quantum dots grown on (001) InP by droplet hetero-epitaxy
NT.05 D. L. Huffaker, S. Birudavolu and A. A. El-Emawy
Structural and optical characteristics of MOCVD-grown quantum dots
14:30–16:20

Wide Band Gap Nanostructures

Chairman: S. Ivanov

WBGN.01i B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, G. Pozina, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
Optical properties of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures
WBGN.02 N. Shapiro, H. Feick and E. R. Weber
Carrier recombination in InGaN nanostructures: carrier localization in quantum-dots, carrier separation by quantum-confined Stark effect
WBGN.03 V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, A. V. Sakharov, S. V. Ivanov, V. A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, J. Aderhold, J. Graul, A. V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Wu, H. Feick and E. E. Haller
Band gap of hexagonal InN and InGaN alloys
WBGN.04 H. Protzmann, G. Gerstenbrandt, A. Alam, O. Schoen, M. Luenenbuerger, Y. Dikme, H. Kalisch, R. H. Jansen and M. Heuken
Production scale MOVPE reactors for electronic and optoelectronic applications
WBGN.05 V. V. Strelchuk, M. Ya. Valakh, M. V. Vuychik, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev and T. V. Shubina
High-efficient up-conversion of photoluminescence in CdSe/ZnSe nanostructures
16:50–18:10

Microcavity and Photonic Crystals

Chairman: V. Kulakovskii

MPC.01 A. L. Efros and A. L. Pokrovsky
Electrodynamics of left-handed materials
MPC.02 V. G. Golubev, A. V. Il'inskii, D. A. Kurdyukov, A. V. Medvedev, A. B. Pevtsov, A. V. Scherbakov, A. V. Sel'kin and E. B. Shadrin
The control of light by the phase transition in opal-VO2 photonic crystals
MPC.03 S. R. Kennedy, M. J. Brett, O. Toader and S. John
Fabrication of square spiral photonic crystals by glancing angle deposition
MPC.04 M. N. Makhonin, D. N. Krizhanovskii, A. N. Dremin, A. I. Tartakovskii, V. D. Kulakovskii, N. A. Gippius, M. S. Skolnick and J. S. Roberts
Influence of temperature and free carries on four-wave mixing in semiconductor microcavities

Tuesday, June 18

9:30–11:20

Nanostructure Characterization and Novel Atomic-scale Probing Techniques

Chairman: N. Bert

NC.01i J. Schmidt
Optical and magnetic-resonance spectroscopy of single molecules
NC.02i N. Miura, T. Ikaida, K. Uchida, T. Yasuhira, K. Ono, Y. H. Matsuda, G. Springholz, M. Pinczolits, G. Bauer, E. Kurtz, C. Klingshirn, Y. Shiraki and Y. Hirayama
Magneto-optical and cyclotron resonance study of semiconductor nanostructures in very high magnetic fields
NC.03 P. I. Arseev, N. S. Maslova, V. I. Panov and S. V. Savinov
Many-particle interaction in the tunnelling nanostructures and STM/STS measurements
NC.04 A. Ankudinov, A. Titkov, V. Evtikhiev, E. Kotelnikov, N. Bazhenov, G. Zegrya, H. Huhtinen and R. Laiho
Study of high power GaAs-based laser diodes operation and failure by cross-sectional electrostatic force microscopy
11:00–12:00

Silicon Based Nanostructures

Chairman: E. Weber

SBNS.01 Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov,
M. Ya. Valakh, N. V. Vostokov, A. N. Yablonsky and V. A. Yukhymchuk
Room-temperature photoluminescence of GeSi/Si(001) self-assembled islands in a 1.3–1.7 μm wavelength range
SBNS.02 S. D. Ganichev, U. Rössler, W. Prettl, E. L. Ivchenko, V. V. Bel'kov, R. Neumann, K. Brunner and G. Abstreiter
Removal of spin degeneracy in SiGe based nanostructures
SBNS.03 A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko and A. I. Nikiforov
Hole transport in Ge/Si quantum-dot field-effect transistors
17:30–18:50

Quantum Wells and Superlattices

Chairman: S. Ganichev

QW/SL.01 Yu. E. Lozovik and I. V. Ovchinnikov
New optical phenomena in Bose-condensed exciton system in quantum wells
QW/SL.02 G. Kocherscheidt, W. Langbein and R. Zimmermann
Spectral speckle analysis: A new method to measure coherence and dephasing in semiconductor nanostructures
QW/SL.03 D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, J. N. Hovenier and A. F. G. van der Meer
Resonant states of carbon acceptor in p-InGaAs/GaAs δ-doped quantum well heterostructure
QW/SL.04 H. C. Lee, K. W. Sun and C. P. Lee
Structure effects on inter- and intra-band scattering of electrons in GaAs/AlxGa1–xAs and strained InxGa1–xAs/GaAs quantum wells
19:10–20:40

Quantum Wires and Quantum Dots-I

Chairman: M. Bayer

QWR/QD.01i P. Petroff
Nanoscale self assembly and physics with semiconductors
QWR/QD.03 M.-E. Pistol, U. Håkanson, M. K.-J. Johansson, W. Seifert and L. Samuelson
Tunneling induced luminescence of individual InP quantum dots
QWR/QD.04 S. V. Goupalov, R. A. Suris, P. Lavallard and D. S. Citrin
On the zero phonon line homogeneous broadening in semiconductor QDs
QWR/QD.05 A. V. Chaplik
Aharonov–Bohm effect for few-particle and collective excitations (excitons, trions, plasmons)
22:10–24:00

Poster Session–I (Tuesday, June 18)

 

Nanostructure Technology

NT.06p A. G. Banshchikov, N. F. Kartenko, A. K. Kaveev, M. M. Moisseeva and N. S. Sokolov
Growth and structural characterization of ZnF2 epitaxial layers on Si
NT.07p A. V. Bobyl, S. G. Konnikov, D. V. Shantsev, A. A. Sitnikova, R. A. Suris and V. P. Ulin
Nanostructures in porous substrate for mismatched film technology and lateral growth model
NT.08p D. V. Brunev, A. N. Karpov, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz and Z. Sh. Yanovitskaya
2D → 3D growth mode transition through Stranski–Krastanov mode during epitaxial growth
NT.09p A. V. Chemakin, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, Z. Sh. Yanovitskaja and A. V. Zverev
Pore sealing during epitaxy and annealing on Si(001) surface
NT.10p M. J. Fernée, J. Warner, A. Watt and H. Rubunsztein-Dunlop
Size/shape selective epitaxial overgrowth of nanocrystalline lead sulfide
NT.11p V. M. Kozhevin, D. A. Yavsin, M. A. Zabelin, S. A. Gurevich, I. N. Yassievich, T. N. Rostovshchikova and V. V. Smirnov
The impact of charge state on catalytic activity of metallic nanostructures
NT.12p N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, D. S. Sizov, A. R. Kovsh, A. F. Tsatsul'nikov, J. Y. Chi, J. S. Wang, L. Wei and V. M. Ustinov
The carriers localization influence on the optical properties of GaAsN/GaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy
NT.13p D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, P. Kratzert, M. Rabe and F. Henneberger
Influence of ZnSe cap layer growth on the morphology and Cd distribution in CdSe/ZnSe quantum dot structures
NT.14p A. I. Nikiforov, V. A. Cherepanov, and O. P. Pchelyakov
Variation of in-plane lattices constant of Ge islands during MBE growth on Si and SiO2 surfaces
NT.15p Yu. G. Sadofyev, Y. Cao, S. Chaparo, A. Ramamoorthy, B. Naser, J. P. Bird, S. R. Johnson and Y.-H. Zhang
High-mobility InAs/AlSb heterostructures for spintronics applications
NT.16p D. S. Sizov, N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu. B. Samsonenko, G. E. Cirlin, N. K. Polyakov, V. A. Egorov, A. A. Tonkih, Yu. G. Musikhin A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov and V. M. Ustinov
Investigation of the formation of InAs QD's in a AlGaAs matrix
NT.17p N. S. Sokolov, S. M. Suturin and V. P. Ulin
Surface morphology evolution at early stages of CaF2(110) epitaxial growth on Si(001)
NT.18p I. P. Soshnikov, B. V. Volovik, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, A. F. Tsatsul'nikov, O. M. Gorbenko, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, P. Werner, N. D. Zakharov and D. Gerthsen
Formation specifity of InAs/GaAs submonolayer superlattice
 

Wide Band Gap Nanostructures

WBGN.06p M. García-Rocha and I. Hernández-Calderón
Photoluminescence study of CdTe/ZnTe ultra-thin quantum wells grown by pulsed beam epitaxy
WBGN.07p A. S. Gurevich, G. V. Astakhov, R. A. Suris, V. P. Kochereshko, D. R. Yakovlev, W. Ossau, S. A. Crooker and G. Karczewski
Filling-factor dependence of magneto-luminescence in II–VI QWs with 2DEG
WBGN.08p D. K. Nelson, M. A. Jacobson, N. Grandjean, J. Massies, P. Bigenwald and A. Kavokin
Influence of high excitation on excitonic states in GaN/AlGaN quantum wells
WBGN.09p S. Shapoval, V. Gurtovoi, A. Kovalchuk, L. Eastman, A. Vertjachih, C. Gaquiere and D. Theron
Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments
 

Microcavity and Photonic Crystal

MPC.05p A. V. Baryshev, A. A. Kaplyanskii, V. A. Kosobukin, M. F. Limonov,
K. B. Samusev and D. E. Usvyat
Three-dimensional Bragg diffraction in growth-disordered opals
MPC.06p D. Birkedal, V. G. Lyssenko and J. M. Hvam
Coherent inter-polariton scattering on moving gratings in microcavity with 25 nm GaAs/AlGaAs single quantum well
MPC.07p L. I. Deych and A. A. Lisyansky
Local polariton modes in planar optical micro-cavities
MPC.08p D. V. Gaikov, E. V. Kolobkova, A. A. Lipovskii, V. G. Melehin and V. G. Petrikov
Whispering gallery modes in glass microspheres made by simple technology
MPC.09p G. Gajiev, V. G. Golubev, D. A. Kurdyukov, A. B. Pevtsov
and V. V. Travnikov
Three-dimensional GaN photonic crystals for visible spectral range
MPC.10p S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov and N. A. Gippius
Quasi-guided modes and optical response in 2D photonic crystal slabs
 

Nanostructure Characterization and Novel Atomic-Scale Probing Techniques

NC.05p M. Chernyshova, V. V. Voloubev, L. Kowalczyk, A. Yu. Sipatov and T. Story
Magnetic interactions in ferromagnetic EuS-PbS semiconductor multilayers
NC.06p V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. N. Goncharuk, R. N. Kyutt,
M. P. Scheglov, M. V. Baidakova, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. B. Smirnov, S. V. Karpov and H. Harima
Raman studies as a tool for characterization of the strained hexagonal GaN/AlxGa1–xN superlattices
NC.07p Yu. S. Gordeev, V. M. Mikoushkin, V. V. Brysgalov, A. G. Zabrodskii, M. V. Alekseenko and H. Grimmeiss
Plasma diagnostics of Ge-clusters in Si1–xGex mixed crystals
NC.08p Yu. E. Lozovik, S. P. Merkulova, M. M. Nazarov, A. P. Shkurinov and P. Masselin
Time resolved nonlinear surface plasmon optics
NC.09p A. M. Mintairov, P. A. Blagnov, J. L. Merz, V. M. Ustinov, A. S. Vlasov, A. R. Kovsh, J. S. Wang, L. Wei and J. Y. Chi
Quantum-dot-like composition fluctuations in near-field magneto-photoliminescence spectra of InGaAsN alloys
NC.10p V. A. Volodin, D. A. Orehov, M. D. Efremov, V. A. Sachkov, B. A. Kolesov, N. D. Zakharov, V. A. Egorov, G. E. Cirlin and P. Werner
Raman study of Ge quantum dots formed by submonolayer Ge coverages in Ge/Si superlattices
 

Silicon Based Nanostructures

SBNS.04p T. M. Burbaev, I. P. Kazakov, V. A. Kurbatov, M. M. Rzaev and V. I. Vdovin
Growth and characterization of Si–Si1–xGex–GaAs heterostructure with InGaAs quantum dots
SBNS.05p I. P. Ipatova, O. V. Proshina and G. Benedek
Surface polaritons at nanoporous carbon-silicon interface
SBNS.06p D. V. Kozlov, V. Ya. Aleshkin and V. I. Gavrilenko
Shallow acceptors in Si/SiGe QW heterostructures
SBNS.07p D. I. Tetelbaum, V. A. Burdov, A. N. Mikhaylov and S. A. Trushin
About the ''phosphorus'' sensitization of silicon quantum dots in SiO2 photoluminescence
SBNS.08p M. V. Yakunin, G. A. Alshanskii, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov and O. A. Kuznetsov
Parallel magnetic field induced strong negative magnetoresistance in a wide p-Ge1–xSix/Ge/p-Ge1–xSix quantum well
 

Quantum Wells and Superlattices

QW/SL.05p V. Ya. Aleshkin, D. M. Gaponova, D. G. Revin, L. E. Vorobjev, S. N. Danilov, V. Yu. Panevin, N. K. Fedosov, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, A. D. Andreev, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, G. E. Cirlin, V. A. Egorov, F. Fossard, F. Julien, E. Towe, D. Pal, S. R. Schmidt and A. Seilmeier
Light absorption and emission in InAs/GaAs quantum dots and stepped quantum wells
QW/SL.06p V. Ya. Demikhovskii and D. V. Khomitsky
Optical and transport properties of p-type heterojunctions with lateral surface superlattice in perpendicular magnetic field
QW/SL.07p M. V. Entin, L. I. Magarill and M. M. Mahmoodian
Friedel oscillations of the magnetic field penetration in systems with spatial quantization
QW/SL.08p J. Erland, V. N. Grigoriev, K. L. Litvinenko, V. G. Lyssenko and J. M. Hvam
Phase relations and fringe contrast of coherent emission from single and multiple quantum wells at homogeneous and inhomogeneous broadening
QW/SL.09p A.-K. Jappsen, A. Amann, A. Wacker, E. Schomburg and E. Schöll
Synchronization of dipole domains in GHz driven superlattices
QW/SL.10p A. Yu. Silov, B. Aneeshkumar, M. R. Leys, N. S. Averkiev, P. C. M. Christianen and J. H. Wolter
Separate electron-hole confinement in composite InAsyP1–y/GaxIn1–xAs quantum wells
QW/SL.11p Z. N. Sokolova, D. I. Gurylev, N. A. Pikhtin and I. S. Tarasov
Auger recombination in strained InGaAsP quantum wells with Eg = 0.7–1.6 eV
QW/SL.12p E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, Yu. V. Dubrovskii, L. Eaves, P. C. Main, M. Henini and G. Hill
Effective mass anisotropy of Γ-electrons in GaAs/AlGaAs quantum well with InAs layer
 

Quantum Wires and Quantum Dots

QWR/QD.09p B. H. Bairamov, B. P. Zakharchenya, V. V. Toporov, V. A. Voitenko, F. B. Bairamov and M. Henini
Inelastic inter-valence-band scattering of photoexcited holes in quantum dot structures
QWR/QD.10p V. S. Dneprovskii, O. A. Shaligina, E. A. Zhukov, V. P. Evtikhiev and V. P. Kochereshko
Time-resolved luminescence of self-assembled CdSe/ZnSe quantum dots
QWR/QD.11p M. V. Entin and M. M. Mahmoodian
Distribution of persistent currents and magnetic field in quantum wire and disc
QWR/QD.12p V. A. Gaisin, A. Kh. Akopyan, B. S. Kulinkin, B. V. Novikov, V. N. Petrov, V. M. Ustinov and G. E. Cirlin
The influence of temperature and hydrostatic pressure on luminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots
QWR/QD.13p I. Larkin and A. Vagov
Auger type relaxation of excitons in self assembled quantum dots via resonance scattering
QWR/QD.14p V. A. Sablikov and Ya. Gindikin
Soft collective charge mode in a 1D electron system
QWR/QD.15p A. A. Starikov, I. I. Yakimenko, K.-F. Berggren, A. C. Graham, K. J. Thomas, M. Pepper and M. Y. Simmons
Effects of accidental microconstriction on the quantized conductance in long wires

Wednesday, June 19

12:00–13:30

Quantum Wires and Quantum Dots-II

Chairman: P. Petroff

QWR/QD.02i E. L. Ivchenko
Electron-hole exchange interaction in nanostructures
QWR/QD.06 C. Kapteyn, J. Ehehalt, R. Heitz, D. Bimberg, G. E. Cirlin, V. M. Ustinov and N. N. Ledentsov
Optical memory concepts with self-organized quantum dots — material systems and energy-selective charging
QWR/QD.07 P. N. Brunkov, A. Patanè, A. Levin, L. Eaves, P. C. Main, Yu. G. Musikhin, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov and S. G. Konnikov
Escape of carriers photoexcited in self-organized InAs/GaAs quantum dots
QWR/QD.08 A. V. Baranov, V. Davydov, A. Fedorov, H.-W. Ren, S. Sugou and Yasuaki Masumoto
Heterostructure optical phonons in dynamics of quantum dot electronic excitations: new experimental evidences
15:00–16:30

2D Electron Gas

Chairman: K. von Klitzing

2DEG.01i I. Kukushkin
Microwave spectroscopy of composite fermions
2DEG.02 E. E. Takhtamirov and V. A. Volkov
Zero spin splitting of Landau levels in 2D electron systems: role of sign of Landé factor
2DEG.03 S. V. Dubonos, K. S. Novoselov, A. K. Geim and J. C. Maan
Quenching of the Hall effect in localised high magnetic field region
2DEG.04 N. S. Averkiev and S. A. Tarasenko
Quantum interference in magnetooscillation phenomena in two-dimensional electron gas
16:40–17:50

Nanostructure Devices

Chairman: M. Shur

ND.01i J. Wolter
Challenges in integration of opto-electronic quantum devices on InP
ND.02 Kazuhiko Matsumoto
Ultra-high coulomb energy in position controlled grown carbon nanotube
ND.03 L. V. Litvin, V. A. Kolosanov, D. G. Baksheev, V. A. Tkachenko, K. P. Mogilnikov, A. G. Cherkov and A. L. Aseev
Ti/TiOx/Ti lateral tunnel junctions for single electron transistor
19:30–21:00

Lasers and Optoelectronic Devices-I

Chairman: P. Eliseev

LOED.01i C. Chang-Hasnain
A new look at quantum dot devices and their enabling applications
LOED.03 K. D. Moiseev, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev and A. Krier
Interface luminescence and lasing at a type II single broken-gap heterojunction
LOED.04 A. V. Platonov, C. Lingk, J. Feldmann, M. Arzberger, M.-C. Amann and G. Abstreiter
Ultrafast switch-off of an electrically pumped InAs/GaAs quantum dot laser
LOED.05 O. Drachenko, C. Becker, V. Rylkov, H. Page, D. Smirnov, J. Leotin and C. Sirtori
Observation of phonon bottleneck in quantum box cascade lasers
21:20–22:20

Infrared Phenomena in Nanostructures

Chairman: Z. Krasil'nik

IRP.01 T. N. Adam, R. T. Troeger, S. K. Ray, U. Lehmann and J. Kolodzey
Terahertz emitting devices based on intersubband transitions in SiGe quantum wells
IRP.02 M. S. Kagan, I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, K. A. Korolev, V. P. Sinis, R. T. Troeger, S. K. Ray and J. Kolodzey
Stimulated THz emission of acceptor-doped SiGe/Si quantum-well structures
IRP.03 A. Andronov, I. Nefedov and A. Sosnin
Proposed Terahertz Bloch superlattice oscillator
22:20–24:00

Poster Session–II (Wednesday, June 19)

 

2D Electron Gas

2DEG.05p V. Yu. Kachorovskii, I. S. Lyubinskiy and L. D. Tsendin
Kinetic mechanism of current stratification in two-dimensional structures
2DEG.06p I. N. Kotel'nikov, S. E. Dizhur and F. V. Shtrom
Many-body lines in tunneling spectra of Al/δ-GaAs junctions near resonant polaron threshold
2DEG.07p A. M. Martin, L. Eaves and K. A. Benedict
The breakdown of the integer quantum Hall effect: a microscopic model with a hydronamical analogy
2DEG.08p V. G. Popov, Yu. V. Dubrovskii, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, J. C. Portal, D. K. Maude, T. G. Andersson and S. Wang
Pinning of Landau levels in open two dimensional electron systems
 

Nanostructure Devices

ND.04p A. Yu. Kasumov, R. Deblock, M. Kociak, B. Reulet, H. Bouchiat, S. Gueron, I. I. Khodos, Yu. B. Gorbatov, V. T. Volkov, V. I. Nikolaichik, Yu. A. Kasumov, C. Journet, P. Bernier, M. Burghard and D. V. Klinov
Towards superconducting molecular nanoelectronics
ND.05p E. B. Dogonkin and G. G. Zegrya
Current-induced cooling of nanostructures
ND.06p S. V. Dubonos, V. I. Kuznetsov and A. V. Nikulov
Segment of an inhomogeneous mesoscopic loop as a dc power source
ND.07p I. Grekhov, L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets and I. Veselovsky
Strongly modulated conduction in Ag/PLZT/LSCO ferroelectric field-effect transistor
ND.08p V. D. Kalganov, N. V. Mileshkina and E. V. Ostroumova
The operating modes of the Auger-transistor and the photo-field detectors under strong electric field
ND.09p M. E. Levinshtein
The origin of the 1/f noise in GaN-based HFETs: Is it tunneling?
ND.10p M. P. Pires, C. V.-B. Tribuzy, B. Yavich and P. L. Souza
Optimization of InGaAs/InAlAs strained multiple quantum wells for amplitude modulators
ND.11p D. B. Suyatin, E. S. Soldatov, I. A. Maximov, L. Montelius, L. Samuelson, G. B. Khomutov, S. P. Gubin and A. N. Sergeev-Cherenkov
Metal nanoelectrodes for molecular transistor and investigation of electron transport in molecular systems
ND.12p J. Unkelbach, A. Amann, P. Rodin and E. Schöll
From bistability to spatio-temporal chaos in a resonant-tunneling diode
 

Lasers and Optoelectronic Devices

LOED.09p Y. Boucher, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii and G. S. Sokolovskii
Near-threshold spectral and modal characteristics of a curved-grating quantum-well distributed-feedback laser (c-DFB)
LOED.10p V. P. Evtikhiev, E. Yu. Kotelnikov, D. V. Dorofeyev and G. G. Zegrya
Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection
LOED.11p A. Khitun and K. L. Wang
Semiconductor quantum dot superlattice for coherent acoustic phonon emission
LOED.12p N. V. Fetisova, N. A. Pikhtin, E. G. Golikova, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova and I. S. Tarasov
14XX nm pump lasers for Raman and Er3+ doped fiber amplifiers
LOED.13p J. Puls, G. V. Mikhailov, F. Henneberger, D. R. Yakovlev and A. Waag
Optical gain and lasing of trions in delta-doped ZnSe quantum wells
LOED.14p I. S. Tarasov, G. G. Zegrya, G. V. Skrynnikov, N. A. Pikhtin and S. O. Slypchenko
SC DHS InGaAsP/InP lasers (λ = 1.5–1.6μm) with above-threshold internal quantum efficiency \eta^{st}_{i} about 100%
LOED.15p G. B. Venus, A. Gubenko, E. L. Portnoi, E. A. Avrutin, J. Frahm, J. Kubler and S. Schelhase
The use of nanostructure-cluster-based ion-implantation-induced saturable absorbers in multisection high-power 1.5-μm picosecond laser diodes
LOED.16p D. A. Yanson, E. U. Rafailov, G. S. Sokolovskii, V. I. Kuchinskii, A. C. Bryce, J. H. Marsh and W. Sibbett
Self-focused distributed Bragg reflector QW laser diodes
LOED.17p I. N. Yassievich, M. S. Bresler, O. B. Gusev and A. S. Moskalenko
Er-doped SiO2 with silicon nanocrystals as a new active optical medium
LOED.18p G. G. Zegrya, I. A. Kostko, N. A. Gunko and E. B. Dogonkin
Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers
 

Infrared Phenomena in Nanostructures

IRP.04p M. A. Odnoblyudov, A. Blom, I. N. Yassievich and K. A. Chao
Impurity induced resonant states in modulation doped heterostructures
IRP.05p A. A. Prokofiev, M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich and K.-A. Chao
Resonant acceptor states in delta-doped SiGe nanostructures
 

Spin Related Phenomena in Nanostructures

SRPN.05p K. Aulenbacher, J. Schuler, D. v. Harrach, E. Reichert, J. Röthgen, A. Subashiev, V. Tioukine and Y. Yashin
The picosecond time scale spin-polarized electron kinetics in thin semiconductor layers
SRPN.06p L. E. Golub
Spin splitting and interband photogalvanic effect in quantum wells
SRPN.07p S. Yu. Verbin, Yu. P. Efimov, V. V. Petrov, I. V. Ignatiev, Yu. K. Dolgikh, S. A. Eliseev, I. Ya. Gerlovin, V. V. Ovsyankin and Y. Masumoto
Spin memory in the n-doped GaAs/AlGaAs quantum wells
 

Quantum Computing

QC.05p A. Khitun, S. Hong and K. L. Wang
Semiconductor tunneling structure with self-assembled quantum dots for multi-logic cellular automata module
QC.06p A. Khitun, R. Ostroumov and K. L. Wang
Feasibility study of the spin wave quantum network
QC.07p A. A. Kokin and K. A. Valiev
The proposed large-scale ensemble silicon-based NMR quantum computers
 

Transport in Nanostructures

TN.04p I. L. Drichko, A. M. Diakonov, I. Yu. Smirnov, V. V. Preobrazhenskii, A. I. Toropov and Y. M. Galperin
Persistent high-frequency hopping photoconductivity in GaAs/AlGaAs heterostructures in the quantum Hall regime
TN.05p A. Koeder, W. Schoch, S. Frank, R. Kling, M. Oettinger, V. Avrutin, W. Limmer, R. Sauer and A. Waag
Ferromagnetic GaMnAs for spintronic devices
TN.06p A. A. Farajian, H. Mizuseki and Y. Kawazoe
Spin-polarized transport through doped nanotube junctions in presence of applied magnetic field
TN.07p A. N. Ionov, V. A. Zakrevskii, V. M. Svetlichny and R. Rentzsch
Super high conductivity effect in metal-polymer-metal structures
TN.08p G. M. Mikhailov, L. I. Aparshina, A. V. Chernykh, I. V. Malikov, V. Y. Vinnichenko, J. C. Maan, S. Olsthoorn, C. Possanzini and H. Jonge
Ballistic effects in magnetoresistance of the planar point contact composed of single crystalline tungsten
TN.09p G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova and A. A. Birukov
The conductivity of disordered 2D systems: from weak to strong localization
TN.10p K. D. Moiseev, V. A. Berezovets, M. P. Mikhailova, V. I. Nizhankovskii and Yu. P. Yakovlev
Magnetotransport of 2D-electrons and holes at a type II broken-gap single heterojunction doped with acceptor impurity
TN.11p M. P. Trushin, V. A. Margulis and A. V. Shorokhov
Quantized acoustoelectric current in the ballistic channels
TN.12p I. P. Zvyagin
Conduction in nanocomposites: hopping on a fractal
 

Tunnelling Phenomena

TP.05p A. V. Germanenko, G. M. Minkov, V. A. Larionova and O. E. Rut
Resonant broadening of two-dimensional states in semiconductors with inverted band structure
TP.06p G. G. Kareva, M. I. Vexler, I. V. Grekhov and A. F. Shulekin
Resonant tunneling metal-oxide-silicon nanostructure
TP.07p C. Möller, J. Böttcher and H. Künzel
GaAs-based tunnel junctions
TP.08p E. V. Sukhorukov, G. Burkard and D. Loss
Noise of a quantum-dot system in the cotunneling regime
TP.09p A. Vercik, M. J. S. P. Brasil, Y. G. Gobato and G. E. Marques
Tunneling of photogenerated holes through Landau levels in GaAs/AlGaAs double barrier diodes
TP.10p L. P. Rokhinson, L. J. Guo, S. Y. Chou, D. C. Tsui, E. Eisenberg, R. Berkovits and B. L. Altshuler
Coherent electron transport in a Si quantum dot dimer
 

Excitons in Nanostructures

EN.05p P. Diaz-Arencibia and I. Hernández-Calderón
Modeling of the photoluminescence spectra of localize excitons in Zn1 – xCdxSe quantum wells
EN.06p A. V. Koudinov, Yu. G. Kusrayev, B. P. Zakharchenya, D. Wolverson, J. J. Davies and J. Kossut
Pauli blockade in spin-flip raman scattering via donor bound excitons
EN.07p V. V. Ovsyankin, Yu. K. Dolgikh, B. V. Stroganov and V. S. Zapasskii, S. A. Eliseev, Yu. P. Efimov and V. V. Petrov
Molecular states of 2D excitons in the GaAs-SQW-structures and the coherent transient spectroscopy of the phase-conjugate response
EN.08p A. Reznitsky, A. Klochikhin, S. Permogorov, I. Sedova, S. Sorokin, S. Ivanov, M. Schmidt, H. Kalt and C. Klingshirn
Exciton states of nano-islands in ZnCdSe quantum wells
EN.09p T. V. Teperik and V. V. Popov
Inhomogeneous luminescence of slow polaritons from near-surface two-dimensional excitonic system

Thursday, June 20

9:00–10:30

Spin Related Phenomena in Nanostructures

Chairman: X. Marie

SRPN.01i S. D. Ganichev
Circular photogalvanic effects induced by spin orientation in quantum wells
SRPN.02 O. Krebs, S. Cortez, A. Jbeli, X. Marie, J-M. Gérard, T. Amand and P. Voisin
Spin polarization dynamics in n-doped InAs/GaAs quantum dots
SRPN.03 I. A. Yugova, I. V. Ignatiev, S. Yu. Verbin, I. Ya. Gerlovin, V. K. Kalevich, A. Yu. Shiryaev, K. V. Kavokin and Y. Masumoto
Gateable spin memory in InP quantum dots
SRPN.04 S. A. Tarasenko and E. L. Ivchenko
Spin orientation of two-dimensional electron gas under intraband optical pumping
10:50–12:30

Quantum Computing

Chairman: R. Suris

QC.01i G. Burkard and D. Loss
Spintronics and quantum information processing in nanostructures
QC.02i G. L. Snider, A. O. Orlov, R. K. Kummamuru, R. Ramasubramaniam, G. H. Bernstein, C. S. Lent, M. Lieberman and T. P. Felhner
Experimental progress in quantum-dot cellular automata
QC.03 A. O. Orlov, R. Kummamuru, R. Ramasubramaniam, C. S. Lent, G. H. Bernstein and G. L. Snider
Clocked quantum-dot cellular automata devices
QC.04 A. M. Bychkov and D. Bouwmeester
Single-photon storage in a single quantum dot for the implementation of a solid-state quantum repeater
12:40–13:40

Transport in Nanostructures

Chairman: L. Eaves

TN.01 B. M. Ashkinadze, E. Cohen and Arza Ron
Dimensional magnetoplasma resonance in GaAs/AlGaAs heterostructures
TN.02 S. V. Zaitsev-Zotov, Yu. A. Kumzerov, Yu. A. Firsov, and P. Monceau
Magnetoresistance in long InSb nanowires
TN.03 V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, A. V. Golikov, V. G. Kytin, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, D. O. Filatov and A. de Visser
Hopping conductivity and magnetic-field-induced quantum Hall-insulator transition in InAs/GaAs quantum dot layers
15:10–16:40

Tunnelling Phenomena

Chairman: V. Volkov

TP.01i L. Eaves
Tunnel spectroscopy of self-assembled quantum dots: wavefunction mapping and addressing the dots with electrostatic gates
TP.02 D. Meinhold, V. G. Lyssenko, K. Leo and B. Rosam
Polarization revival of a Bloch-oscillating wave packet at resonant Zener tunneling in GaAs shallow superlattice
TP.03 Yu. V. Dubrovskii, P. C. Main, L. Eaves, V. A. Volkov, D. Yu. Ivanov, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, V. G. Popov, D. K. Maude, J.-C. Portal, M. Henini and G. Hill
Tunnel gaps in the two-dimensional electron system in a magnetic field
TP.04 Yu. V. Dubrovskii, V. A. Volkov, D. K. Maude, J.-C. Portal, M. V. Chukalina, D. Yu. Ivanov, E. E. Vdovin, L. Eaves, P. C. Main, M. Henini and G. Hill
Magnetotunnelling spectroscopy of the electron states in the quantum well with embedded self-assembled quantum dots: studies in magnetic fields up to 28 T

Friday, June 21 (Educational Centre)

10:30–12:00

Lasers and Optoelectronic Devices-II

Chairman: C. Chang-Hasnain

LOED.02i P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R. L. Sellin, D. Ouyang and D. Bimberg
Temperature dependent homogeneous broadening and gain recovery dynamics in InGaAs quantum dots
LOED.06 P. G. Eliseev, A. A. Ukhanov, A. Stintz and K. J. Malloy
Gain and linewidth enhancement factor in InAs-quantum-dot and InAs-quantum-dash laser heterostructures
LOED.07 A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, A. V. Vasil'ev, Yu. M. Shernyakov, D. A. Livshits, M. V. Maximov, D. S. Sizov, N. V. Kryzhanovskaya, N. A. Pikhtin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, J. S. Wang, L. Wei, G. Lin and J. Y.Chi
High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells
LOED.08 N. A. Maleev, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasilev, E. S. Semenova, Yu. M. Shernyakov, E. V. Nikitina, N. V. Kryjanovskaya, D. S. Sizov, I. P. Soshnikov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, D.Bimberg and Zh. I. Alferov
MBE growth of low-threshold long-wavelength QD lasers on GaAs substrates
12:30–14:00

Excitons in Nanostructures

Chairman: E. Ivchenko

EN.01i M. Bayer, G. Ortner, A. Larionov, A. Kress, A. Forchel, P. Hawrylak, K. Hinzer, M. Korkusinski, S. Fafard, Z. Wasilewski, T. L. Reinecke and Yu. Lyanda-Geller
Entangled exciton states in quantum dot molecules
EN.02 J. Puls, P. Kratzert, A. Hundt, M. Rabe and F. Henneberger
Magneto-optical properties of self-assembled (Cd,Mn)Se quantum dots
EN.03 D. R. Yakovlev, G. V. Astakhov, W. Ossau, Q. McCulloch, S. A. Crooker and A. B. Dzyubenko
Singlet and triplet states of charged excitons in ZnSe-based QWs probed by high magnetic fields
EN.04 V. P. Kochereshko, G. V. Astakhov, D. R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr, T. Wojtowicz, G. Karcezewski and J. Kossut
Combined exciton and trion excitations in modulation doped quantum well structures
15:30–17:20

Closing Plenary Session

Chairman: Zh. Alferov

CPS.01i G. Pomrenke
Photonic Nanostructures
CPS.02i J. Feldmann
Optical switching and sensing with individual nanoparticales
CPS.03i M. S. Shur, S. L. Rumyantsev and R. Gaska
Nanostructures on flexible substrates
AIXTRON Young Scientist Award Ceremony
Zh. Alferov
Closing remarks